CMOS 이미지 센서는 렌즈를 통해 들어오는 빛을 전기적 신호로 전환하여 전자기기에서 영상을 실현하는 역할을 합니다. 저전력∙초소형∙저비용이라는 제품 특성을 바탕으로 스마트폰, 태블릿, 디지털 카메라, 보안, 인공지능 등 다양한 분야에서 수요가 급증하고 있습니다.

DB하이텍은 0.18um~90nm CIS 공정을 기반으로 N + / PW 포토 다이오드, 컬러 필터 및 마이크로 렌즈 기술을 사용하는 CIF, VGA 및 메가 픽셀 옵션 등을 제공하고 있으며 Mobile과 Non Mobile에 특화된 다양한 형태의 CIS 칩을 양산하고 있습니다.


0.18μm
- 3 Level Aluminum Process (up to M6)
- 0.18um Generic Process
- Own Library for 0.18um Process
- Dual Gate Oxide Process
- Pixel & I/O : 3.3V, Core : 1.8V
- Dark Current Reduction Process
- Thin BEOL Height- Stitching available

0.13μm
- 3 Level Aluminum Process
- Own Library for 0.13um Process
- Dual Gate Oxide Process
- Pixel & I/O : 3.3V, Core : 1.5V
- Dark Current Reduction Process
- Thin BEOL Height at Pixel area
- Minimized photo layers

0.11μm
- 3 Level Aluminum Process(up to M6)
- M0 local interconnection (only pixel area)
- Own Library for 0.11um Process
- Dual Gate Oxide Process
- Pixel & I/O : 2.8V/3.3V, Core : 1.5V
- Dark Current Reduction Process
- Thin BEOL Height
- Optimized Photo Layers
- Option process: 8fF MIM, Optimized Light guide process
- BSI available
- Stitching available
 
0.09μm
- 3 Level Aluminum Process(up to M6)
- M0 local interconnection (only pixel area)
- Own Library for 0.09um Process
- Dual Gate Oxide Process
- Pixel & I/O : 2.8V/3.3V, Core : 1.2V
- Dark Current Reduction Process
- Thin BEOL Height
- Optimized Photo Layers
- Option process: 8fF MIM, Optimized Light guide process
- BSI available

문의 : sales1@dbhitek.com