DB하이텍의 SJ MOSFET 플랫폼은 유연한 설계 지원으로 다양한 제품에 최적화된 MOSFET 설계를 가능하게 합니다. 또한 DB하이텍 고유의 멀티 레이어 Epitaxy (EPI) 성장 기술을 기반으로 세계 최고 수준의 특성(Rdson x Qg)과 안정적인 품질 관리 시스템을 제공하며, 전원 공급 장치, LED 드라이버, PV 인버터, 어댑터, OBC(On-Board Charger), Charging piles 등과 같은 500V ~ 800V 사이의 다양한 고전압 애플리케이션에 적합한 low EMI 노이즈, 고속 스위칭, FRD(Fast Recovery Diode) 옵션을 지원합니다.

DB하이텍은 기존 제품에 부가가치를 더한 차세대 SJ MOSFET 플랫폼을 지속 개발하여 제품의 경쟁력을 높이고 고객에 더욱 높은 가치를 제공하기 위해 최선의 노력을 다하고 있습니다.


SJ MOSFET
- Excellent balance in electrical performance (las, switching loss and EMI)
- Suitable for a wide variety of applications and power ranges
- Variable integrated Rg
- Low Qg Poly shrink and Poly Cut Gate architecture
- Built-in Zener Diode for ESD protection (ESD ≥ 2.0kV)

문의 : sales1@dbhitek.com