연혁 | 기업정보

현재 - 2022

차세대 반도체 기술 혁신 주도

DB하이텍은 2022년 4년 연속 사상최대 매출을 경신하였으며, 한국 코스피 상장사 중 영업이익률 2위(46%)를 기록하였습니다.

이후 사업분야별 전문성 강화를 목적으로 DB글로벌칩(설계부문)을 분사했으며, 기술 차별화와 고도화를 바탕으로 차세대 반도체 기술 혁신에 앞장서고 있습니다.

2025
- 0.18um VD180LV 공정개발
- 0.13um XA BCD 공정개발
- 0.18um LV BCD Gen4 공정개발
- SJMOSFET Gen3.5 공정개발
2023
- DB글로벌칩(설계부문) 분사
- 주주가치 제고를 위한 경영혁신 계획 발표
- 0.18um Analog CMOS Gen2 공정개발
2022
- 사상최대 매출 및 영업이익
- 첫 지속가능경영보고서 공시
- UHV 900 공정개발

2021 - 2017

고성장·고부가가치 제품 중심
기술 경쟁력 강화

아날로그 및 전력반도체 분야에서 세계 최고 수준의 기술력을 확보한 DB하이텍은, 2017년 동부하이텍에서 사명을 변경하고 고성장·고부가가치 제품을 중심으로 초격차 기술 경쟁력을 강화했습니다.

2021
- 0.13um RF SOI Gen3 공정개발
- SJ MOSFET Gen3 공정개발
2020
- 0.18um XA (X advanced) BCDMOS 공정개발
- 0.13um RF SOI Gen2 공정개발
- Specialty CIS (Global shutter, SPAD) 공정개발
2019
- 0.13um LV BCDMOS Gen2 공정개발
- 0.13um RF SOI 공정개발
2018
- 0.13um HV BCD 공정개발
2017
- DB하이텍으로 사명변경(구 동부하이텍)
- 0.18um HV(High voltage) BCDMOS Gen3 공정개발
- 90nm CIS & MS 공정개발
- SJ MOSFET Gen2 공정개발

2016 - 2008

혁신적인 반도체 공정으로
글로벌 경쟁력 확보

DB하이텍은 2008년 세계 최초로 0.18㎛ BCDMOS 공정 기술을 개발하며 국내 대표적인 시스템반도체 회사로 자리매김했습니다.

대규모 자금이 필요한 시스템반도체 사업을 정부 지원 없이 확장하며 경영난이 있었지만, 김준기 창업회장의 사재출연을 포함한 재무구조 개선과 반도체 전문경영인 영입, 기술경쟁력 강화 등을 통해 2014년 영업이익 흑자전환에 성공하였습니다.

2016
- Analog & Power 웨이퍼 출하량 100만장 달성
- Advanced 0.18um BCDMOS 공정개발
- 0.11um RF HRS (High Resistivity Substrate) 공정개발
2014
- 영업이익 흑자전환
- 0.13um BCDMOS & 0.11um Low Noise CMOS 공정개발
2011
- 0.18um Analog CMOS 공정개발
- 0.18um HP (High Precision) 공정개발
2010
- 0.11um Mixed-Signal & RF 공정개발
- 0.18um LV(Low Voltage) BCDMOS Gen2 공정개발
2008
- 업계 최초 0.18um BCDMOS 공정개발
- LCD 구동칩 개발 및 양산

2007 - 1997

DB하이텍 전신, 동부전자 설립

1997년, DB그룹은 반도체 소재분야에서 축적한 기술과 사업경험을 바탕으로 반도체 제조회사를 설립하면서 본격적으로 반도체 사업에 진출하였습니다.

이후, 미국의 텍사스인스트루먼츠, 일본 도시바 등 세계적인 반도체 기업과 기술 이전 및 제품 공급에 대한 전략적 제휴를 체결하고, 아남반도체를 인수하는 등 적극적으로 사업을 전개하였습니다.

1996 - 1983

DB그룹, 반도체 사업 진출

DB그룹(구 동부그룹)은 1983년 반도체 웨이퍼를 생산하는 ㈜코실(현 SK실트론)을 설립하고, 1992년에는 반도체 웨이퍼의 소재인 ‘고순도 다결정 실리콘’을 세계 두 번째로 개발하였습니다.

DB HiTek