SiC | Portfolio | Technology

SiCSilicon Carbide

친환경 모빌리티를 위한 SiC 파운드리

DB하이텍은 첨단 공정 기술, 파워 디바이스 전문성, 그리고 최첨단 대용량 8인치 제조 시설을 바탕으로 세계 최고의 SiC(Silicon Carbide) 파운드리 파트너를 목표로 합니다.

주요 시장인 친환경 자동차 분야에서 활용도가 높은 1200V SiC MOSFET 파운드리 공정 특화 서비스를 개발부터 양산까지 제공합니다. 특히 우수한 품질의 SiC 원자재 웨이퍼를 공급 파트너로부터 확보하고 DB하이텍에서 Design, Fab process 및 제품 신뢰성까지 선행 확보하여 고객의 개발 기간을 최소화합니다. 또한 SiC 전용 장비를 통해 맞춤형 공정을 지원함으로써 고객의 제품 개발에 최적화된 파운드리 환경을 제공합니다.

친환경 모빌리티를 위한 SiC 파운드리

DB하이텍은 첨단 공정 기술, 파워 디바이스 전문성, 그리고 최첨단 대용량 8인치 제조 시설을 바탕으로 세계 최고의 SiC 파운드리 파트너를 목표로 합니다.

주요 시장인 친환경 자동차 분야에서 활용도가 높은 1200V SiC MOSFET 파운드리 공정 특화 서비스를 개발부터 양산까지 제공합니다. 특히 우수한 품질의 SiC 원자재 웨이퍼를 공급 파트너로부터 확보하고 DB하이텍에서 Design, Fab process 및 제품 신뢰성까지 선행 확보하여 고객의 개발 기간을 최소화합니다. 또한 SiC 전용 장비를 통해 맞춤형 공정을 지원함으로써 고객의 제품 개발에 최적화된 파운드리 환경을 제공합니다.

프로세스

더 작게, 더 강하게 고전압 SiC 파운드리의 새로운 기준

Target is less than 3mW.cm² specific on-resistance (Rsp) Proliferate 30A~100A and expand voltage range; future larger voltage, current Establish process, cell design, and termination PDK Customer to specify layout including die geometry, gate, and bonding pads Trench Development roadmap

SiC FAQ

SiC 공정과 관련된 주요 질문들을 확인하실 수 있습니다.

다운로드

애플리케이션
맞춤형 솔루션

SiC 제품은 시스템 출력 전력에 따라 다양한 라인업을 갖추고 있으며, 200kW 이상 고출력 시스템용 모듈 개발에 주력하고 있습니다. 50kW 이하 시스템(OBC, Light e-Vehicle 등)에서는 개별 소자(Discrete)를 사용하여 디자인의 유연성을 높이고 비용을 절감할 수 있습니다. 고출력 시스템용 SiC 모듈은 전력 밀도에 따라 소형 모듈과 고전력 모듈로 세분화되어 각 시스템의 특성에 최적화된 성능을 제공합니다.