SJ MOSFET | Portfolio | Technology

SJ MOSFETSuper Junction MOSFET

우수한 성능의 맞춤형 SJ MOSFET

DB하이텍은 우수한 전기적 성능 밸런스를 갖춘 맞춤형 SJ MOSFET(Super Junction MOSFET) 설계 및 제조 공정 서비스를 제공합니다.

SJ MOSFET 플랫폼은 유연한 설계 지원과 독자적인 멀티 레이어 Epitaxy (EPI) 성장 기술을 기반으로 500V~950V 고전압 애플리케이션에 최적화된 MOSFET 설계를 가능하게 합니다. 또한 세계 최고 수준의 특성(Rdson x Qg)과 안정적인 품질 관리 시스템을 제공하며 low EMI 노이즈, 고속 스위칭, FRD(Fast Recovery Diode) 옵션을 지원합니다.

3세대 SJ MOSFET 공정은 2세대 대비 저항 값을 50~60% 감소시켜 25~600밀리옴(mOhm) 사이의 온 저항을 지원하며 더 나은 성능과 개선된 Rsp를 구현합니다. 또한 낮은 전자파 간섭(EMI), 빠른 스위칭, 빠른 복구 다이오드(FRD), 높은 정전 방전(ESD) 등 다양한 옵션을 제공하며 표준 패키지를 통해 다양한 애플리케이션에 장착할 수 있습니다.

DB하이텍은 기존 제품에 부가가치를 더한 차세대 SJ MOSFET 플랫폼을 지속적으로 개발하여 제품 경쟁력을 강화하고 고객에게 더욱 높은 가치를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

프로세스

차세대 전력 제어의 중심

SJ MOSFET: Excellent balance in electrical performance (las, switching loss and EMI) Suitable for a wide variety of applications and power ranges Variable integrated Rg Low Qg Poly shrink and Poly Cut Gate architecture Built-in Zener Diode for ESD protection (ESD ≥ 2.0kV)