CIS | Portfolio | Technology

CIS
CMOS Image Sensor

세상을 담는 기술 CMOS 이미지 센서

CIS(CMOS Image Sensor)는 렌즈를 통해 들어오는 빛을 전기적 신호로 전환하여 전자기기에서 영상을 실현하는 핵심 부품입니다.

DB하이텍은 저전력 및 저잡음 프로세스를 기반으로 하는 0.18um~90nm CMOS 이미지 센서 프로세스를 제공하며 많은 제품으로 안정적인 성능이 입증되었습니다.

Specialty CIS를 전문으로 고객 맞춤형 R&D를 지원하며 0.18um~90nm CIS 공정을 기반으로 N+ / PW 포토 다이오드, 컬러 필터, 마이크로 렌즈 기술을 활용하여 CIF, VGA, 메가 픽셀 등 다양한 옵션을 제공합니다. Mobile 및 Non Mobile 분야에 특화된 다양한 형태의 CIS 칩을 양산하고, 광범위한 애플리케이션에 대한 맞춤형 픽셀 개발과 숙련된 엔지니어링을 통한 프로세스 최적화를 제공합니다.

프로세스

저전력 및 저소음 기반으로 0.18μm부터 0.09μm까지

0.18μm: 3 Level Aluminum Process (up to M6) 0.18um Generic Process Own Library for 0.18um Process Dual Gate Oxide Process Pixel & I/O : 3.3V, Core : 1.8V Dark Current Reduction Process Thin BEOL Height Stitching available

0.13μm: 3 Level Aluminum Process Own Library for 0.13um Process Dual Gate Oxide Process Pixel & I/O : 3.3V, Core : 1.5V Dark Current Reduction Process Thin BEOL Height at Pixel area Minimized photo layers

0.11μm: 3 Level Aluminum Process(up to M6) M0 local interconnection (only pixel area) Own Library for 0.11um Process Dual Gate Oxide Process Pixel & I/O : 2.8V/3.3V, Core : 1.5V Dark Current Reduction Process Thin BEOL Height Optimized Photo Layers Option process: 8fF MIM, Optimized Light guide process BSI available Stitching available

0.09μm: 3 Level Aluminum Process(up to M6) M0 local interconnection (only pixel area) Own Library for 0.09um Process Dual Gate Oxide Process Pixel & I/O : 2.8V/3.3V, Core : 1.2V Dark Current Reduction Process Thin BEOL Height Optimized Photo Layers Option process: 8fF MIM, Optimized Light guide process BSI available