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GaN

GaNGallium Nitride

독자적 GaN 기술의 파운드리 원스톱 서비스

DB하이텍은 BCDMOS와 Analog CMOS 기반의 파워 공정은 물론 Power GaN(Gallium Nitride) 기술에서도 차별화된 경쟁력을 보유하고 있습니다. 자체적인 in-house epi 공정 역량을 기반으로 뛰어난 품질과 높은 생산 안정성을 확보하고 있으며, 8인치 기반의 파워 토탈 솔루션 파운드리로서 원스톱 서비스를 제공합니다.

프로세스

8인치 웨이퍼 기반 GaN 파워 디바이스

650V E-mode GaN HEMT
Wafer Size: 8 inch (in-house epi growth) Technology: (1P/2M + various options) Operation Voltage(V): 650V (>850V Transient) Vth(V): 1~3V (Customized) Dynamic Ron: < 10% (hard & soft switching) Rdson(mΩ·㎠): 3.3mΩ·㎠ (3.0 (2025/E) → 2.5 (2026))

애플리케이션
맞춤형 솔루션

고속 충전기, 전원공급장치(PSU), 서버, 통신 장비 등 다양한 응용 분야에서 고효율·고전력 특성의 GaN 솔루션을 통해 에너지 절감과 시스템 소형화를 구현합니다.

Fast Charger
Power Supply Unit
(PSU)
Server
Telecommunications

Technology Roadmap

  • Development
  • Planning
Table of developed/planned technologies by GaN process by year

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